发布时间:2024-04-18 04:22:11
中,合键做了TN、TT、IT编造的底子分享,能够说一切低压配电编造的安排都是征战正在这三者之上的,
本日这篇著作,就和行家梳理下低压各接地编造的接地打击掩护都是怎样达成的?帮你正在安排之余,做个学问回忆和编造性总结。
正在《低压配电安排榜样》GB50054 第 6 章的相合条规中,条件配电线道掩护的筑树除了短道掩护、过负荷掩护表,还应有接地打击掩护,用于预防人身间接电击以及电气失火、线道损坏等变乱。
而低压配电编造又分为 TN、TT、IT 三种分别接地型式,三者对接地打击掩护的条件也各欠好像,下面完全做先容。
当过电流掩护餍足机灵度条件时,采用断道器的过电流脱扣器的短道瞬时掩护,是最经济、最容易的。但当配电线道较长时,线道阻抗增大,接地打击电流 Id 较幼,以至短道瞬时掩护难以餍足机灵度条件。
这时,咱们则能够商量采用带短延时过电流脱扣器的断道器作接地打击掩护。断道器的短延时掩护整定值(Isd)往往惟有瞬时掩护整定值(Ii)的 1/5~1/3 支配,因此更容易达成掩护。但这种体例需求断道器脱扣器选型是电子脱扣器,其代价往往比旧例的热磁脱扣器要贵良多,故很少被采用,寻常用正在一级配电的馈线断道器上。
以上体例是借帮了断道器本体的过电流脱扣器来供应掩护,以下两种体例则是要通过带有接地打击掩护成效附件的断道器来掩护,咱们能够二选一。
当过电流脱扣器的瞬时和短延时掩护都不餍足机灵度条件时,能够采用零序电流掩护,它合用于TN-C、TN-C-S、TN-S编造,但分歧用于谐波电流较大的配电回道,且此体例仅能通过断道器中电子脱扣器的接地打击掩护成效(Ig)来达成。
安排中,正在低压侧总进线断道器处就采用了这种体例,断道器有四段掩护成效,即长延时Ir、短延时Isd、短道瞬时Ii、接地打击掩护Ig。
一般情形下,配电线道的三相负荷切近于平均,当谐波电流又很幼时,流过中性线(N)的电流很幼。如产生单相连地打击时,零序电流 In 会大大加添。
因此零序电流掩护整定值 Ig 必需大于寻常运转时PEN或N线中流过的最大三相不服均电流、谐波电流、寻常流露电流之和。
配电干线寻常运转时的零序电流值 In 寻常不会赶过线%,零序电流掩护整定值 Ig 可整定正在断道器长延时 Ir 的50%~60%之间,同时再餍足式(2) 的条件即可。
当过电流掩护不餍足机灵度条件时,也能够采用RCD残剩电流掩护。安排中,咱们一般将这种体例行使正在二、三级配电中。
什么是残剩电流 Ie ?即 Ie = Iu + Iv + Iw + In。从这个公式中,咱们能够看到它多加添了一个中性线电流的矢量和,如此测得的电流值将更幼、改动确,实践上即是通过PE线上的接地打击电流。
所以,采用残剩电流掩护比零序电流保前旁却护的行为机灵度更高。它只合用于TN-S编造,分歧用于TN-C编造。TN-C-S编造操纵RCD时,RCD不应穿过PEN线,PE线与PEN线的汇合点应正在RCD的电源克量内侧,河待省得RCD拒动。
Ie ≥ 1.3 x Ia,Ia 为残剩电流掩护行为值但还应贯注以下几个题目:
为避免掩护误行为,RCD整定值应大于寻常运转时所掩护回道的流露电流总和的2.5~4倍。对付手握式或挪动式筑立、插座回道应装设RCD,且其额定行为电流应幼于等于30mA;用于医疗筑立、拍浮池、浴室照明的残剩电流掩护器,其整定值应为10mA;为防电气失火而装设的RCD,其额定行为电流不应赶过300mA。多级装设RCD时,需贯注额定残剩行为电流和行为光阴都应拥有选取性。苛禁将PE线穿过RCD。残剩电流掩护行为时应断开所掩护回道的相线和中性线。
对付TT编造,电源侧的编造接地(接地电阻值Rb不大于4Ω)和用电筑立端的掩护接地(接地电阻值Ra寻常取10~30Ω)没有电气连通,当产生单相连地打击时,打击回道阻抗较大,打击电流较幼,采用断道器的过电流掩护常难以餍足机灵度条件,故应采用 RCD 来实行接地打击掩护,其贯注事项与上面的TN编造好像。
对付IT编造,产生第一次单相连地打击时,打击电流很幼(毫安级),仅为另两相对地电容电流的相量和,用电筑立表露导电部门的打击电压处于接触电压限值以下,不组成对人体的危急,无需割断电源,故接地打击掩护一般接纳对配电编造实行绝缘监测并报警的体例。打击产生后值班职员应正在2幼时内排出打击,不然倡导手动切除打击回道,以避免另两相产生二次接地打击酿成相间短。