环绕式栅极 (GAA) 晶体管架构为满足功耗和性能敏感型设计的苛刻需求提供了全新的机会和更高的自由度
基于双方的深度研发合作和探索，新思科技与三星实现了以GAA为核心的功耗优化技术关键创新，能够确保领先的PPA和性能功耗比
复杂多子系统SoC的成功流片，加速了三星最新3纳米GAA工艺技术对新思科技Fusion Design Platform的认证
新思科技（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果，旨在加快提供高度优化的参考方法学，实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。
新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程，以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户，可在高性能计算（HPC）、5G、移动应用和人工智能 (AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。
三星晶圆设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示：“三星晶圆是推动下一阶段行业创新的核心，我们基于工艺技术的持续演进，来满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。我们全新的先进3纳米GAA工艺得益于我们与新思科技的广泛合作，Fusion Design Platform让我们加速实现3纳米工艺的前景，这也充分彰显了与行业领先者合作的重要性和优势。
根据摩尔定律，晶体管尺寸要进一步缩小，而GAA架构为更高的晶体管密度提供了经过流片验证的途径。GAA架构改进了静电特性，从而可提高了性能并降低了功耗，并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合，扩大了优化解决方案的空间，从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作，加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能，从而在新思科技的Fusion Compiler和IC Compiler II中实现了全流程、高收敛度优化。
不断优化的新思科技Fusion Design Platform为应对来自先进节点的各种挑战提供了完美的解决方案，这些挑战包括复杂的库单元摆放和布局规划规则、新的布线规则和更加明显的工艺变化。基于单一数据模型以及共享通用优化架构，Fusion Design Platform平台可确保单点技术更新也能够帮助设计的优化收敛、尽可能消除系统裕度，以实现更快的收敛周期。
新思科技数字设计事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示：“GAA晶体管结构是工艺技术进步的关键转折点，对于延续工艺进步趋势至关重要，为下一波超大规模创新提供保障。我们与三星晶圆的战略合作，旨在共同提供一流的技术和解决方案，确保工艺进步趋势的延续，为更广泛的半导体行业带来全新机会。
关于3纳米GAA工艺的新思科技技术文档可通过三星晶圆获取。新思科技Fusion Design Platform中经过验证的关键产品包括：
86-021-69155901
86-021-69155906
