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拿下全球50%EUV光刻机台积电却落后三星3纳米技术被抢先流片

  • 发布日期:2024-03-29 06:46:40
  • 来源:牛宝体育app

      现如今,手机竞争进入白热化阶段,提高手机的软硬件成为了重中之重,芯片是其中的关键。目前全球已经量产且领先的半导体是5nm芯片,对于想要更进一步的研究3nm芯片,台积电和三星的竞争越来越激烈。

      阿麦斯是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的企业,但受其产能有限,供不应求,各大晶圆代工厂或芯片巨头需要花重金抢购。而在后摩尔时代,各大厂商想要提高产能就需要大量的设备加持。中国的两大芯片巨头分别是台积电和三星,而在这场竞争中,台积电的EUV光刻机数量遥遥领先于三星,已经拿到了50%的EUV光刻机,领先一步。

      根据6月下旬DigiTimes的公告显示,台积电计划在2022年下半年量产3nm芯片。而在接下来的几个月,会先生产4nm芯片。

      3nm芯片将实现15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加,而在台积电和三星的3nm之争中,台积电采用传统的且成熟的FinFET工艺,而三星则冒险采用全新的GAA技术。在设备数量占据优势地位的条件下,台积电领先于三星先达到3nm的概率会较大。

      2021年6月29日,三星发布3nm制程正式流片。由于GAA不像FinFET技术,需要新的设计和应用工具,所以三星的3nm制程是和其他企业合作完成的,目的就是为了让GAA技术的实现更加流畅。

      此次,三星大胆的采用了GAA的新技术,与传统的FinFET相比,GAA技术更有优势,对电流的控制更加精准,构架的晶体管能够提供更好的静电特性,这样就能更好的提升芯片的制程水平。

      与此同时,使用这种新技术的风险更大,因为该技术应用的少,所以会出现问题的可能性较大。而且三星研发的时间很紧,对于新技术出现的问题没有时间去修正,所以即便量产成功,市场能否接受还是一个很大的问题。

      不论三星能否抢先在台积电之前量产3nm芯片,但三星在GAA构架上都实现了提升,即便日后台积电与三星在3nm芯片上量产时间一致,但在工艺方面三星已经实现了反超。

      在瞬息万变的科技时代,谁也无法预料下一个风口的到来。但三星的成功流片意味着芯片技术已经准备就绪,量产的时间也正在临近。

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